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短波焦平面探測器的知識(shí)點(diǎn),趕緊看看
隨著
短波焦平面探測器
材料研究的進(jìn)展和短波紅外焦平面探測器制備工藝的不斷改進(jìn)和創(chuàng)新,短波紅外焦平面探測器將向更大面陣規(guī)模、更寬的光譜響應(yīng)范圍發(fā)展,將會(huì)在更多的領(lǐng)域得到重視和應(yīng)用。
短波焦平面探測器
由探測器陣列與讀出電路倒裝互連而成。焦平面器件技術(shù)涵蓋光電子與微電子技術(shù)范疇,器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜,技術(shù)難度大,對設(shè)計(jì)、工藝、產(chǎn)品化等技術(shù)均有較高要求。
紅外成像技術(shù)的核心部分當(dāng)屬紅外探測器技術(shù),包括紅外材料、器件等重大制造工藝技術(shù),涉及紅外探測器基礎(chǔ)理論、總體設(shè)計(jì)、薄膜材料生長技術(shù)、材料性能表征與評(píng)價(jià)技術(shù)。
在短波紅外成像光譜技術(shù)的應(yīng)用背景下,對
短波焦平面探測器
的校正技術(shù)進(jìn)行研究,包括壞像元校正和非均勻性校正,并提出先進(jìn)行壞像元校正后進(jìn)行非均勻性校正的探測器校正原則;在標(biāo)準(zhǔn)輻射源下,對正常像元的輸出值進(jìn)行正態(tài)分布擬合,并通過3σ準(zhǔn)則設(shè)定正常像元輸出值閾值的方法,確定探測器中壞像元的數(shù)量與位置,然后根據(jù)短波紅外成像光譜技術(shù)的應(yīng)用要求,對壞像元進(jìn)行光譜二鄰域均值替換;壞像元校正完成后,再采用運(yùn)算量小、實(shí)時(shí)性強(qiáng)的兩點(diǎn)法對探測器進(jìn)行非均勻性校正。綜合校正結(jié)果表明:探測器壞像元得到有效剔除,壞像元輸出值得到良好校正,且非均勻性校正效果明顯,圖像細(xì)節(jié)更加豐富。
更新更新時(shí)間:2020-11-24
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