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激光測(cè)距InGaAs APD探測(cè)器包含脈沖探測(cè)器及處理電路。與PIN光電二極管相比，此款探測(cè)器對(duì)激光脈沖能量的要求降低了20倍，與其他普通APD產(chǎn)品相比，此款探測(cè)器對(duì)激光脈沖能量的要求降低5倍。 1）特點(diǎn) ①高增益低噪聲InGaAs APD探測(cè)器 ②響應(yīng)波段950~1700nm ③噪聲等效功率 0.2 nW （1534-nm; 20-ns pulse） ④動(dòng)態(tài)范圍：70dB
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1.5um固體激光器 1）特點(diǎn) ①人眼安全： Class-1/1M ②高峰值功率：可達(dá)115 kW ③光束質(zhì)量：M 2 1.15 * DL（where DL is the diffraction limit） ④脈沖寬度：4–8 ns ⑤壽命長(zhǎng)： 5千萬(wàn)次 ⑥寬溫度范圍：-45℃ – 65℃
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